晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：FTB85N12
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】153 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】74 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管HY4008PSIRFK2DE50SGU660N65W3MGF1305SGH5602E2SK2333FQPF7N60BUZ78IRFIP044CEPF630SSH7N60FLS31IRFIP2502SK650BRS3N25(CS3N25)

中文 - English

电子爱好者