晶体管元件查询
型号：H5N2801P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】60 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】60 A
漏极和源极电压（VDSS）：280 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.043 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管TK15A60DLSGC085R041W3SUP70N03-09BPFHX35XNDTL03N150C2SK354HA210N062SK3683STH7N80MGFC39V4450IRFP040CMD1402DHE540SVD13N50TSGF660N65W3