晶体管元件查询
型号：SVD13N50T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.52 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管2SK3918STW43NM60ND2SK4100LSNCE2302BFQAF34N20LIXTH6N90NDP60202SK3615IRF420STK0760PDH8004D2SK2955KHB4D5N60PIRF840ALNG04R165