晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：H6N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：170 W
漏极电流（ID）：4.2 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V

更多N沟道场效应管10N65D-TUHY4008BFLC08MESFP65N0620N15LND2N60IRF223MGFC39V3742IRFZ44Z8NM60NDSTB80NF55-06-12SK2978DHB100N062SK26292SK3868

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