晶体管元件查询
型号：HCP60R190
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】96 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】96 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管JCS7N65CBFLM7785-12DIRFD2212SK354DN2540N5SVD10N65RU70100RS70N08R5N62K3SWF8N65DSGB360N65W3LSC80R350GTIRFIZ442SK1010LNH05R230