晶体管元件查询
型号：SGB360N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.36 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2SK378IRFJ332IRF1407PbFLSH65R1K6GTIRFB7430BUZ100IXFH1N90IXTK3N250LSSP6N70AIPB100N06S2-05(PN0605)IRLB8314PbFIRFB5620PbFSTF11N60M2-EP(11N60M2EP)IRF462DHI3205