晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:HM20N50A
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
280 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
20 A
漏极和源极电压(VDSS):500 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.26 Ω
封装:TO-3P

更多N沟道场效应管SP80N40STW9NA80OR80H12SGF450N50W3STH5N90CHM95C2SK223STF6N95K5LND7N60DTK13A65UFCH099N65S3DHD1710FLM5964-14/DTK62Z60XIRFB61N15DPbF

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