晶体管元件查询
型号：FCH099N65S3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】227 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】227 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.099 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管SVF2N60FHYG024N03LR1DIPB60R099C6(6R099C6)FHF5N60ALSC70R380GTBUZ332AUV3710RAHK6030LXJCS4N65VIRFPC40MDP8N60IXFH24N50SGF660N65W3IXFK120N20P2SK2628ALS