晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HM3N25I
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管LNH04R120STV6N60FLM1011-2FDP19N402SK36283SK168SVD8N65SUP75N032N6766IRFP4710FSX52WF2SK1221DH150N06LNG2N65STF16NF25

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