晶体管元件查询
型号：HY1808P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.008 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFP4227PbFSTH6NA80STP80NF70NCE80H11FLM5964-12DSGF660N70W3MGF4403ALNG045R210FCH099N65S32SK2294LNC16N65IRC630STW9NK70ZLSB55R055GFIRF733