晶体管元件查询
型号：HY1906P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0075 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管DH1404TLND04R035BHY3403VIRFF330IRF543YMP130N08QFHS80N06BIRFK3D450FTW30N20AIRFF421LNL04R1202SK668PFF730EBUZ21SGT180N65W3