晶体管元件查询
型号：LNL04R120
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：2.1 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：SOP8
更多N沟道场效应管MGFK30M40452SK3134SPHD50N06LT2SK15442SK2967IRLIZ44GSGW420N80W3STP14NK50ZFPIPW60R041C6(6R041C6)LSB65R180GF2SK4117LSGE10R080W3JCS7HN60BAOD4454SGB1K1N65W3