晶体管元件查询
型号：HY3210B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：237 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0085 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管STF11N60M2-EP(11N60M2EP)FTK65T260F(NCE65T260F)BFW10IRFK2F450IRC832IRFS4615PbF2SK790HY3215PHY1620BAO4404SUP75N03IPLU300N04S4-R8(4N04R8)FTW20N60A2SK1242SK3880