晶体管元件查询
型号：STF11N60M2-EP(11N60M2EP)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.595 Ω
封装：TO-220FP
更多N沟道场效应管Si2306DSRF1S40N10STP3N15030N05FLC301MG-4IXTM5N100STW9NB80LSGN10R085W3FDA28N50MGFX38V00052SK2676SKSS055N08NLSG60R950HTRFM8N20SWD8N65D