晶体管元件查询
型号：HYG055N08NS1B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】187.5 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】187.5 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0068 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管FQPF13N50CDH90N040R2SK140FHP100N07A2N6755SSP6N60IRF441LNL05R155HYG035N10NS2BFLM3742-14/DLNC4N65IRFP4468PbF2SK1119FDPF5N60NZ2KK5034