晶体管元件查询
型号：FQPF13N50C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：48 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.48 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管SVT085R5NSNP32N055HHELNH05R155IXTH10N95IRFU322STB80NF55-08T4IRF150STU7NA90SVG076R5NKLFLR014XPSVD5N60CS48N88IPA60R190C6(6R190C6)80N70F4HUF75307