晶体管元件查询
型号：HYG055N08NS1P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】187.5 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】187.5 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0068 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管AO3424PHD78NQ03LT3SK177FLM5964-6DFMH13N80E23N50E2SK34602SK2601FLR024XP/XVSSW7N60A2SK2847DHE01592SK2654-01MDP19323SK165