晶体管元件查询
型号：PHD78NQ03LT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】93 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】93 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.009 Ω
封装：DPAK
更多N沟道场效应管NCE30H10KCJQ4438RU80N15ROR8090JCS20N60FHIRF3415SVT085R5NTIRF4468FDP52N20NCE6060FLM1414-4CSGW210N50W3STD4NK60ZT4AOD478IRF133