晶体管元件查询
型号：IPB010N06N
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.001 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
封装：TO-263-7
更多N沟道场效应管RM120N60T2RFP8N20IXFA10N60PIRF632HX2N60SGI600N60W3IRFJ441FLK012XPSUM90N08-4m8PIXFN106N20IXFH1N60CS20N50DH1710IRFAE20SSF7N90A