晶体管元件查询
型号：IPB120N06N
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】158 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】158 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IRFSZ30MGF2205SVF4N6511N80-CLSC60R125HTIRH45012N65KGF1800IRFAG40IXTH50N25TMXP8835AT2SK651MGFX38V9095IRFZ34STB9NK70Z-1