晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IPI110N20N3G(110N20N)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】88 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.011 Ω
封装：TO-262

更多N沟道场效应管12N120K5IRFR214DHE180N10IRF622MS5N608NM60NDFHF5N60ADH90N03VTK62Z60XIRFSZ449N70HY4004PNEZ1414-4AHY5608WSTV5NA80

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