晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:MS5N60
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
33 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
4.5 A
漏极和源极电压(VDSS):600 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):2.5 Ω
封装:TO-220AB

更多N沟道场效应管IXFA10N60PIRF200B211DHD100N06IXTH11N802SK41089N70SVF12N65FLM1011-2MGF1405FHP13N502SK275FQP6N90CMGF1100STW6N95K5IXFX73N30Q

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