晶体管元件查询
型号：IPI120N06S4-H1(4N06H1)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0024 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管FSC11FA/LGIPB80N04S4-03(4N0403)LNC045R140FMR09N90EFHP4410MDD7N25IRFP4227PbF2SK4086LSMGFC36V7177FLM1011-4CLSE65R380HTSTP6NA80LSGC085R041W3SGW180N65W3FLM1414-8C