晶体管元件查询
型号：IPB80N04S4-03(4N0403)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】94 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】94 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0037 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2SK1119YR20N60DHB130N03LSGN04R029IRFS1Z3F6N60IPI120N04S4-01(4N0401)IRFK4H350BUZ21IPP075N15N3GSVD7N65AFQPF3N25FQPF13N50CSVD4N60IPN70R900P7S(70S900)