晶体管元件查询
型号：IPI80N04S4-03(4N0403)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】94 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】94 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0037 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管IRFP4710TK4A60DALSD65R930GTFKP250AFQP34N20LFHX06XIRF625IRFJ323FMC07N90ESVG086R0NDS70N08UV250N08R2SK856SWI6N60(SW6N60)IRFP2907PBF