晶体管元件查询
型号：SVG086R0ND
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】114 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】114 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FMH08N80EMDP08N055TH6N60C2SK354BRS3N25(CS3N25)IRF045FDH210N08CS830A4RDSVF1N70AO4404MXP8828AL2SK4092STW18N60M2LSB65R125HT2SK359