晶体管元件查询
型号：IPP075N15N3G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：150 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0075 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管2SK677H52SK2611LSGD10R080W3BUZ3122SK1548LNE10R040W3SVD12N60FSGF450N50W3FQP13N50CFQP6N60CSGF180N60W32SK5532SK79LNN04R040BSVF4N65M