晶体管元件查询
型号：IPP110N20N3G(110N20N)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】88 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】88 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.011 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管2SK3523FLM4450-8B/DDHE90N055RIXTQ150N15PSGT360N60W3MTP3N40MDP5N50FBF256CKHB9D5N20F1JCS20N60ANHIRF232LSGN04R025CMD1402IRC833LNC20N65