晶体管元件查询
型号：IXTQ150N15P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】714 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】714 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 A
漏极和源极电压（VDSS）：150 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.013 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管2SK3090STH60N10A09T2SK180SM3106NSUIRFM250MGFC36V7177IXFT44N50PAF75N02MTM4N50IRF333FHP1404NEZ1011-4AIRFP4229IRFD210