晶体管元件查询
型号：IPS65R600E6(65E6600)
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.3 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.6 Ω
总耗散功率（Ptot）：63 W
封装：IPAK
更多N沟道场效应管IRFP1522SK703FLM3742-18DAKS6205GBIRFAC42FTNCS1N60SPI12N50C3UV30N03STH5N90MTA2N60ELSD55R140GFSWF8N65DIRFU4222SK14072SK4018