晶体管元件查询
型号：SPI12N50C3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11.6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.38 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管6N60BSSH10N70STP14NK50ZHM20N50AJCS8N60SLSC80R350GTFSX52WF80N07SVF6N60D2SK648FTK65T260F(NCE65T260F)FQA24N50FCH47N60FHX06XSTB80NF55-08T4