晶体管元件查询
型号：IRF630M
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】9 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】9 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.4 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRLR110DH070N06HYG055N08NS1BMGF2124FAO3402MDP19222SK15312SK4114SGF660N60W3SP70N88HYG016N04LS1PIRL3713PbFIRFAC42IPP80N04S4-03(4N0403)IRLD110