晶体管元件查询
型号：IRF841FI
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：450 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85 Ω
总耗散功率（Ptot）：40 W
封装：TO-220FP
更多N沟道场效应管IRFPF508N60FIRFD2232N6768LSC65R380GF2SK8902SK2018N60CIRFD221SMK630DK15J50DFLM6472-12DAFTW30N20ALNN04R075SPP15N60C3