晶体管元件查询
型号：2N6768
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】14 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】14 A
漏极和源极电压（VDSS）：400 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.3 Ω
封装：TO-204AE
更多N沟道场效应管STP3N1502SK79BFQ1060N03SIRF513MDP1922IRFU422SMK1060FIRFP2907PBFSTV4N100LSF70R640GTBUZ358BSC0402NSHFP830SGF180N60W3