晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFBE20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】54 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.8 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：6.5 Ω
封装：TO-220AB

更多N沟道场效应管STB6NA80CEF80N75IRFB61N15DPbF2SK780WFW20N60SVF11N60T2SK373DH540TK13A50DAAOD484LNC08R085NCE01H14C2SK526P20N60KD2SVD7N80

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