晶体管元件查询
型号：IRFK4HE50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：26 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
封装：TO-240AA
更多N沟道场效应管4N65FSTB80NF55-08T4FTK65T180F(NCE65T180F)FLS50LNG045R210STP75NF75IRFF330MGFC39V5964FLM4450-12DSVD13N50TFLM4450-4B/D2SK3522IRFF333FBM120N80A2SK3264-01MR