晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFP250N
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：214 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.075 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管NCE6060FLC161WFK10A60WTFP2N60CRSS052N08N2SK273CS840A8HIRFZ34N80R900QZIRF733IRFU012SVD13N50TIRFI6442SK28372SK703

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