晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXFH150N17T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】830 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 A
漏极和源极电压（VDSS）：175 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管3SK212IRF543MDU1511FMV09N90EKIA2808ASVF7N65CFLSC65R180HT2SK27502SK398FHC30FA/LG18N65IRFD2232SK359BF245B2N6798

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