晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXFH1N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：300 W
漏极电流（ID）：11 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V

更多N沟道场效应管MGFK35M4045SGW180N60W3DH150N06NDB603ALTS75N09SI2304DSFHF5N60ASTW7NA80IRFZ20IXFH150N17TBUZ357MTH6N85IRFAC32IRLZ14LNG04R120

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