晶体管元件查询
型号：IXFH28N50F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：315 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
封装：TO-247AD
更多N沟道场效应管LNH06R079IRFZ44IXTA460P2IRC840BUK437/600BSVF6N60D16N60HUF75307IXFX180N10IPP075N15N3GSTU7NA90LSE70R1KGT2SK1356LNG2N65SLF13N50A