晶体管元件查询
型号：IXFK120N20P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】714 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】714 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.022 Ω
封装：TO-264
更多N沟道场效应管MGFK38V2732STW11NK100ZLNC4N65IRFK6J150BUK437/400BSVF9N90PNFQA28N502SK2477IRFPF30DHF90N040RIRFP250NFLM1213-4DIRFP360BUZ100SGF600N70W3