晶体管元件查询
型号：IXFM24N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.23 Ω
封装：TO-3
更多N沟道场效应管FTD36N06NHY1607UIRF353FLM6472-8C/DIRFBC42IPI110N20N3G(110N20N)STP8NK80ZFPLSH70R450GTMGF2117MGFX35V0005SGT250N50W3JCS4N60BIRFJ433LND4N65HY3506A