晶体管元件查询
型号：IXFM26N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】26 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】26 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.2 Ω
封装：TO-3
更多N沟道场效应管SGD600N70W3SGB250N50W3IRF1512SK1762SK1941IPB100N06S2-05(PN0605)SUB85N10-10MGFC39V71772SK108IRFAE522SK24782SK794LNC4N602SK1964IRFP141