晶体管元件查询
型号：SUB85N10-10
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】85 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】85 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0105 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管80N072SK2374H5N3011PFQA9N90C3SK189STB4NK60Z-1IXFH120N20P2SK3699-01MR2SK1299FLM7785-12D2SK585FTA10N65CSVD1N60DBUZ84AIRF4468