晶体管元件查询
型号：IXFN32N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】32 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】32 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.25 Ω
封装：SOT-227B
更多N沟道场效应管JCS4N60FIRL3713PbFFLM0910-22SK677DHE17102N7075IXFH10N100BUZ81(A)110N06FLM5964-14/DLND18N50SGB600N65W3IXFK32N60BUZ384LSE65R125HT