晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB600N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.6 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管IRFU320LSGC04R035IRF821HY3215B2SK1213KGF1850IPA086N10N3G(086N10N)SFP65N062N67702SK1299TK13A50DAIRFP253SVF1N60SSH10N60TK6P65W

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