晶体管元件查询
型号：IXFT44N50P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：658 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.14 Ω
封装：TO-268
更多N沟道场效应管IRFJ122LSD60R650HTMTD6N153SK141NCEP02T10HY3608P2SK1181LNH05R1552SK13412SK3114IRF6252SK511FLM6472-14/DLNN04R040BSGF180N65W3