晶体管元件查询
型号：LSD60R650HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：63 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管LSD65R099GTIRFAE5225N05STK7000NCE65R260FHY1906FLC311MG-410N70LSD70R640GTLNC12N65SGI600N70W3MGF21482SK677FMH21N50IRFM250