晶体管元件查询
型号：IXFV96N20P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】600 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】600 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】96 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】96 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.024 Ω
封装：PLUS220
更多N沟道场效应管BUZ14SGU1K1N65W3SI2306(H306)SWI6N60(SW6N60)J310BUZ349PHP50N06LTHY5208ASTD16NF252SK2765IRFP0452SK3699-01MRFTP18N20SVD8N60IRF123