晶体管元件查询
型号：SGU1K1N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管MDF7N65BIRFSZ442N72182SK792SGW125N60W3FQD50N06MGF4405AIRFK3D3502SK735IRFP4232PbFNCEP039N10DSTW10NB602SK1271HY1620B2N4416
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